| Title | 一种半导体制冷器件 |
| Author | |
| First Inventor | 项晓东
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202110470232.3
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| Application Date | 2021-04-28
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| Open (Notice) Number | CN113193103B
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| Date Available | 2022-06-28
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| Publication Years | 2022-06-28
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2022-06-28
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明实施例公开了一种半导体制冷器件，包括：供电单元、第一半导体结构、第二半导体结构、第一载流子传导结构、第二载流子传导结构；供电单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极存在电势差；第一载流子在电势差的作用下吸收热量后经第一载流子传导结构至第二半导体结构；第一载流子传导结构远离第一半导体结构的一侧形成制冷端；第二载流子在电势差的作用下释放热量后经第二载流子传导结构至第一电极；第一电极远离第二载流子传导结构的一侧形成散热端。本发明解决了现有技术中采用掺杂或者微结构的方法来提高热电材料的热电品质因子ZT，存在理论极限以及导致的材料稳定性和实验可重复性较差的技术问题。 |
| Other Abstract | 本发明实施例公开了一种半导体制冷器件，包括：供电单元、第一半导体结构、第二半导体结构、第一载流子传导结构、第二载流子传导结构；供电单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极存在电势差；第一载流子在电势差的作用下吸收热量后经第一载流子传导结构至第二半导体结构；第一载流子传导结构远离第一半导体结构的一侧形成制冷端；第二载流子在电势差的作用下释放热量后经第二载流子传导结构至第一电极；第一电极远离第二载流子传导结构的一侧形成散热端。本发明解决了现有技术中采用掺杂或者微结构的方法来提高热电材料的热电品质因子ZT，存在理论极限以及导致的材料稳定性和实验可重复性较差的技术问题。 |
| CPC Classification Number | H01L35/28
; H01L35/02
; H01L35/04
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| IPC Classification Number | H01L35/28
; H01L35/02
; H01L35/04
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2022-06-28][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/357742 |
| Department | Academy for Advanced Interdisciplinary Studies 工学院_材料科学与工程系 |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
项晓东,冯锴,张鹏,等. 一种半导体制冷器件[P]. 2022-06-28.
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