Title | 一种LED芯片制作方法 |
Author | |
First Inventor | 孙小卫
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN201810409971.X
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Application Date | 2018-05-02
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Open (Notice) Number | CN108666212B
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Date Available | 2023-01-10
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Publication Years | 2023-01-10
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Status of Patent | 授权
; 复审
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Legal Date | 2023-01-10
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本发明公开了一种LED芯片制作方法,该LED芯片制作方法包括:提供衬底;根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理;在衬底上形成LED芯片外延层;形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案,通过先对衬底进行切割处理,再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层,在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下,可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤,且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题,提高了形成的LED芯片的性能和质量,节约了大量时间和资源。 |
Other Abstract | 本发明公开了一种LED芯片制作方法,该LED芯片制作方法包括:提供衬底;根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理;在衬底上形成LED芯片外延层;形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案,通过先对衬底进行切割处理,再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层,在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下,可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤,且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题,提高了形成的LED芯片的性能和质量,节约了大量时间和资源。 |
CPC Classification Number | H01L33/0066
; H01L21/3043
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IPC Classification Number | H01L21/304
; H01L33/00
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INPADOC Legal Status | (+PATENT GRANT)[2023-01-10][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 1
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Extended Patent Family Count | 1
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Priority date | 2018-05-02
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Patent Agent | 潘登
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Agency | 北京品源专利代理有限公司
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428461 |
Department | Department of Electrical and Electronic Engineering 创新创业学院 |
Recommended Citation GB/T 7714 |
孙小卫,刘召军,王立铎,等. 一种LED芯片制作方法[P]. 2023-01-10.
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