| Title | 一种LED芯片制作方法 |
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| First Inventor | 孙小卫
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN201810409971.X
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| Application Date | 2018-05-02
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| Open (Notice) Number | CN108666212B
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| Date Available | 2023-01-10
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| Publication Years | 2023-01-10
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| Status of Patent | 授权
; 复审
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| Legal Date | 2023-01-10
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明公开了一种LED芯片制作方法，该LED芯片制作方法包括：提供衬底；根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；在衬底上形成LED芯片外延层；形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案，通过先对衬底进行切割处理，再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层，在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下，可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤，且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题，提高了形成的LED芯片的性能和质量，节约了大量时间和资源。 |
| Other Abstract | 本发明公开了一种LED芯片制作方法，该LED芯片制作方法包括：提供衬底；根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理；在衬底上形成LED芯片外延层；形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案，通过先对衬底进行切割处理，再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层，在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下，可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤，且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题，提高了形成的LED芯片的性能和质量，节约了大量时间和资源。 |
| CPC Classification Number | H01L33/0066
; H01L21/3043
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| IPC Classification Number | H01L21/304
; H01L33/00
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2023-01-10][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2018-05-02
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428461 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering 创新创业学院 |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
孙小卫,刘召军,王立铎,等. 一种LED芯片制作方法[P]. 2023-01-10.
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