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Title

一种LED芯片制作方法

Author
First Inventor
孙小卫
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
Address of First applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN201810409971.X
Application Date
2018-05-02
Open (Notice) Number
CN108666212B
Date Available
2023-01-10
Publication Years
2023-01-10
Status of Patent
授权 ; 复审
Legal Date
2023-01-10
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本发明公开了一种LED芯片制作方法,该LED芯片制作方法包括:提供衬底;根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理;在衬底上形成LED芯片外延层;形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案,通过先对衬底进行切割处理,再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层,在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下,可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤,且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题,提高了形成的LED芯片的性能和质量,节约了大量时间和资源。
Other Abstract
本发明公开了一种LED芯片制作方法,该LED芯片制作方法包括:提供衬底;根据单颗LED芯片尺寸将衬底进行切割处理;在衬底上形成LED芯片外延层;形成多个单颗LED芯片的电极。本发明提供的技术方案,通过先对衬底进行切割处理,再在切割处理后的衬底上形成LED芯片外延层,在不改变LED芯片总体制造工艺的情况下,可以避免对衬底进行切割处理过程中对外延层造成损伤,且可以有效缓解外延层不均匀而导致的形成的LED芯片发出的光波长不一致的问题和LED芯片巨量转移造成的资源浪费的问题,提高了形成的LED芯片的性能和质量,节约了大量时间和资源。
CPC Classification Number
H01L33/0066 ; H01L21/3043
IPC Classification Number
H01L21/304 ; H01L33/00
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2023-01-10][CN]
INPADOC Patent Family Count
1
Extended Patent Family Count
1
Priority date
2018-05-02
Patent Agent
潘登
Agency
北京品源专利代理有限公司
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428461
DepartmentDepartment of Electrical and Electronic Engineering
创新创业学院
Recommended Citation
GB/T 7714
孙小卫,刘召军,王立铎,等. 一种LED芯片制作方法[P]. 2023-01-10.
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