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Title

一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途

Author
First Inventor
郝瑞
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
Address of First applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN202110384288.7
Application Date
2021-04-09
Open (Notice) Number
CN113125540B
Date Available
2022-12-02
Publication Years
2022-12-02
Status of Patent
授权
Legal Date
2022-12-02
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法,所述方法包括如下步骤:(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜,之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列;(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料,之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀,然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除,得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法,可以增强其导电性,降低电荷累积现象,提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。
Other Abstract
本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法,所述方法包括如下步骤:(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜,之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列;(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料,之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀,然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除,得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法,可以增强其导电性,降低电荷累积现象,提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。
CPC Classification Number
G01N27/327 ; Y02E60/50
IPC Classification Number
G01N27/327
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2022-12-02][CN]
INPADOC Patent Family Count
1
Extended Patent Family Count
1
Priority date
2021-04-09
Patent Agent
潘登
Agency
北京品源专利代理有限公司
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428464
DepartmentDepartment of Chemistry
Recommended Citation
GB/T 7714
郝瑞,胡添翼,杨鸿成,等. 一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途[P]. 2022-12-02.
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