| Title | 一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途 |
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| First Inventor | 郝瑞
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202110384288.7
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| Application Date | 2021-04-09
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| Open (Notice) Number | CN113125540B
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| Date Available | 2022-12-02
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| Publication Years | 2022-12-02
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2022-12-02
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜，之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列；(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料，之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀，然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除，得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法，可以增强其导电性，降低电荷累积现象，提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。 |
| Other Abstract | 本发明涉及一种用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在电极载体的一侧沉积10‑200nm的导电薄膜，之后采用聚焦离子束在沉积导电薄膜的对侧制备纳米孔阵列；(2)在步骤(1)所述纳米孔阵列中的孔洞内沉积电极材料，之后采用聚焦离子束对沉积电极材料的纳米孔阵列进行刻蚀，然后将步骤(1)沉积的导电薄膜去除，得到所述纳米双极电极阵列。本发明提供的纳米双极电极阵列的加工方法，可以增强其导电性，降低电荷累积现象，提高电子/离子束的成像分辨率。所述双电极阵列可以对细胞以及化学反应电信号的进行检测。 |
| CPC Classification Number | G01N27/327
; Y02E60/50
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| IPC Classification Number | G01N27/327
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2022-12-02][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2021-04-09
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428464 |
| Department | Department of Chemistry |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
郝瑞,胡添翼,杨鸿成,等. 一种利用聚焦离子束加工纳米双极电极阵列的方法及用途[P]. 2022-12-02.
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