| Title | 深槽的填充方法及深槽的填充结构 |
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| First Inventor | 瞿学选
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202110452788.X
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| Application Date | 2021-04-26
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| Open (Notice) Number | CN113380696B
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| Date Available | 2022-11-15
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| Publication Years | 2022-11-15
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2022-11-15
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。 |
| Other Abstract | 本发明涉及一种深槽的填充方法及深槽的填充结构。上述深槽的填充方法包括如下步骤：提供具有至少一深槽的半导体衬底，深槽的深宽比小于或等于40；将绝缘件置于半导体衬底上，且绝缘件遮蔽深槽的开口，绝缘件的材质为聚合物材料；对绝缘件进行加热，使绝缘件呈液态；在真空条件下，对绝缘件加压，使液态的绝缘件填充于深槽内，然后固化，在深槽内形成绝缘层。上述深槽的填充方法在深槽内填充绝缘层仅需要几分钟至十几分钟，较传统的化学气相沉积的方法(需要几十个小时)大大节省了沉积时间，提高了生产效率。且以聚合物材料为绝缘件的材料，较传统的以二氧化硅为绝缘层，介电常数相差不大，甚至部分高于二氧化硅，绝缘性好。 |
| CPC Classification Number | H01L21/76898
; H01L21/76879
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| IPC Classification Number | H01L21/768
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2022-11-15][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2021-04-26
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| Patent Agent | 李美
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| Agency | 华进联合专利商标代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/428479 |
| Department | Public Testing and Analysis Center |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
瞿学选,马续航,王尧,等. 深槽的填充方法及深槽的填充结构[P]. 2022-11-15.
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