Title | 一种GaN器件及其制备方法 |
Author | |
First Inventor | 蒋洋
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN202110745865.0
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Application Date | 2021-07-01
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Open (Notice) Number | CN113284948B
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Date Available | 2022-10-04
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Publication Years | 2022-10-04
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Status of Patent | 授权
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Legal Date | 2022-10-04
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层,外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层,金属电极层包括源漏金属层,其中,源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触,形成欧姆接触电极的机理,并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,增大金属电极层与外延层的接触面积,减小欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,通过源漏电极区域的刻蚀,实现了低温欧姆接触工艺,提高了GaN器件的整体可靠性。 |
Other Abstract | 本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层,外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层,金属电极层包括源漏金属层,其中,源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触,形成欧姆接触电极的机理,并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,增大金属电极层与外延层的接触面积,减小欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,通过源漏电极区域的刻蚀,实现了低温欧姆接触工艺,提高了GaN器件的整体可靠性。 |
CPC Classification Number | H01L29/7786
; H01L29/66462
; H01L29/0603
; H01L29/0684
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IPC Classification Number | H01L29/778
; H01L21/335
; H01L29/06
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INPADOC Legal Status | (+PATENT GRANT)[2022-10-04][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 2
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Extended Patent Family Count | 2
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Priority country | CN
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Priority number | 202011644679.X
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Priority date | 2020-12-30
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Patent Agent | 潘登
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Agency | 北京品源专利代理有限公司
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/429534 |
Department | SUSTech Institute of Microelectronics 南方科技大学-香港科技大学深港微电子学院筹建办公室 |
Recommended Citation GB/T 7714 |
蒋洋,唐楚滢,于洪宇,等. 一种GaN器件及其制备方法[P]. 2022-10-04.
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