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Title

一种GaN器件及其制备方法

Author
First Inventor
蒋洋
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
Address of First applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN202110745865.0
Application Date
2021-07-01
Open (Notice) Number
CN113284948B
Date Available
2022-10-04
Publication Years
2022-10-04
Status of Patent
授权
Legal Date
2022-10-04
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层,外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层,金属电极层包括源漏金属层,其中,源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触,形成欧姆接触电极的机理,并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,增大金属电极层与外延层的接触面积,减小欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,通过源漏电极区域的刻蚀,实现了低温欧姆接触工艺,提高了GaN器件的整体可靠性。
Other Abstract
本发明实施例公开了一种GaN器件及其制备方法。该GaN器件包括衬底以及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、外延层和金属电极层,外延层包括依次层叠于衬底上的GaN沟道层、AlN层和势垒层,金属电极层包括源漏金属层,其中,源漏金属层包括朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,将金属电极层中的源极和漏极都与外延层接触,形成欧姆接触电极的机理,并且在源极和漏极金属电极层设置朝向衬底一侧延伸至外延层内的凸起结构,增大金属电极层与外延层的接触面积,减小欧姆接触电阻,从而降低GaN器件的导通电阻,通过源漏电极区域的刻蚀,实现了低温欧姆接触工艺,提高了GaN器件的整体可靠性。
CPC Classification Number
H01L29/7786 ; H01L29/66462 ; H01L29/0603 ; H01L29/0684
IPC Classification Number
H01L29/778 ; H01L21/335 ; H01L29/06
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2022-10-04][CN]
INPADOC Patent Family Count
2
Extended Patent Family Count
2
Priority country
CN
Priority number
202011644679.X
Priority date
2020-12-30
Patent Agent
潘登
Agency
北京品源专利代理有限公司
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/429534
DepartmentSUSTech Institute of Microelectronics
南方科技大学-香港科技大学深港微电子学院筹建办公室
Recommended Citation
GB/T 7714
蒋洋,唐楚滢,于洪宇,等. 一种GaN器件及其制备方法[P]. 2022-10-04.
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