| Title | P型栅HEMT器件 |
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| First Inventor | 化梦媛
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202011463725.6
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| Application Date | 2020-12-14
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| Open (Notice) Number | CN112670340B
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| Date Available | 2022-12-23
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| Publication Years | 2022-12-23
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2022-12-23
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括：由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；第一P型材料层设置在势垒层上，第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧；第一导电层设置在第一P型材料层上；第二P型材料层与第一P型材料层连接；第二导电层连接第二P型材料层；第三导电层连接第二P型材料层；第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管；第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围，且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中，由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。 |
| Other Abstract | 本发明公开了一种P型栅HEMT器件。包括：由下至上依次设置有衬底、缓冲层、沟道层、势垒层；第一P型材料层设置在势垒层上，第一源极和第一漏极设置在第一P型材料层两侧；第一导电层设置在第一P型材料层上；第二P型材料层与第一P型材料层连接；第二导电层连接第二P型材料层；第三导电层连接第二P型材料层；第一P型材料层、第一源极、第一漏极和第一导电层用于构成常关型N沟道晶体管；第二P型材料层、第二导电层和第三导电层用于构成常开型P沟道晶体管。通过在GaN HEMT的基础上设置P沟道常开型晶体管,增大了阈值电压和其调节范围，且消除了原P型栅GaN HEMT栅区中的P型材料层中，由等效电荷总量变化所引入的阈值漂移。 |
| CPC Classification Number | H01L29/423
; H01L29/778
; H01L29/06
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| IPC Classification Number | H01L29/778
; H01L29/423
; H01L29/06
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2022-12-23][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 2
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| Extended Patent Family Count | 2
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| Priority date | 2020-12-14
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| Patent Agent | 黄广龙
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| Agency | 广州嘉权专利商标事务所有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/429939 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
化梦媛,陈俊廷. P型栅HEMT器件[P]. 2022-12-23.
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