Title | 单晶铜的制备方法 |
Author | |
First Inventor | 邹定鑫
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN202110075702.6
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Application Date | 2021-01-20
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Open (Notice) Number | CN112899768B
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Date Available | 2022-09-23
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Publication Years | 2022-09-23
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Status of Patent | 授权
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Legal Date | 2022-09-23
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中,通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理,利用石墨容器的限域空间作用,将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面,从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染,不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率,而且可以获得大尺寸的单晶铜,使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单,无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理,有利于实现单晶铜的工业化制备。 |
Other Abstract | 本发明属于材料技术领域,具体涉及一种单晶铜的制备方法。本发明单晶铜的制备方法中,通过将多晶铜置于石墨容器中进行退火处理,利用石墨容器的限域空间作用,将退火处理过程中的石英渣、灰尘颗粒等各种杂质隔离在石墨容器的外面,从而避免上述杂质对所得单晶铜造成杂质污染,不仅大大提高了所得单晶铜的表面洁净度和制备效率,而且可以获得大尺寸的单晶铜,使所得单晶铜具有更优异的性能。本发明提供的制备方法操作简单,无需对多晶铜进行复杂多样的表面预处理,有利于实现单晶铜的工业化制备。 |
CPC Classification Number | C30B1/02
; C30B29/02
; C22F1/08
; C22F1/02
; C21D9/46
; Y02P10/20
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IPC Classification Number | C30B1/02
; C30B29/02
; C22F1/08
; C22F1/02
; C21D9/46
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INPADOC Legal Status | (+PATENT GRANT)[2022-09-23][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 1
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Extended Patent Family Count | 1
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Priority date | 2021-01-20
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Patent Agent | 郝文婷
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Agency | 深圳中一联合知识产权代理有限公司
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/430287 |
Department | Institute for Quantum Science and Engineering 理学院_物理系 |
Recommended Citation GB/T 7714 |
邹定鑫,田圳,张振生,等. 单晶铜的制备方法[P]. 2022-09-23.
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