| Title | 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法 |
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| First Inventor | 陈晓龙
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010409014.4
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| Application Date | 2020-05-14
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| Open (Notice) Number | CN111554780B
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| Date Available | 2022-09-20
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| Publication Years | 2022-09-20
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2022-09-20
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。 |
| Other Abstract | 本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法，该中红外发光二极管包括：衬底；发光结构，包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极；其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结，这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列，可以使异质结中电子和空穴有效分离，从而在电激励的作用下，能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光，得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。 |
| CPC Classification Number | H01L33/002
; H01L33/005
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| IPC Classification Number | H01L33/00
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2022-09-20][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-05-14
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| Patent Agent | 齐胜杰
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| Agency | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/430526 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
陈晓龙,王琳,王太宏,等. 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法[P]. 2022-09-20.
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