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Title

一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法

Author
First Inventor
陈晓龙
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
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518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518000 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN202010409014.4
Application Date
2020-05-14
Open (Notice) Number
CN111554780B
Date Available
2022-09-20
Publication Years
2022-09-20
Status of Patent
授权
Legal Date
2022-09-20
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法,该中红外发光二极管包括:衬底;发光结构,包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结;以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极;其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结,这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列,可以使异质结中电子和空穴有效分离,从而在电激励的作用下,能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光,得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。
Other Abstract
本发明提供一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法,该中红外发光二极管包括:衬底;发光结构,包括设置在衬底上的黑磷薄膜与二硫化钼薄膜垂直堆叠形成的范德华异质结;以及分别与黑磷薄膜和二硫化钼薄膜连接的第一电极和第二电极;其中黑磷薄膜和二硫化钼薄膜的能带关系呈现交错方式的能带排列。本发明通过黑磷薄膜与二硫化钼薄膜进行垂直堆叠形成范德华异质结,这两种材料的能带关系呈现一种交错方式的II型能带排列,可以使异质结中电子和空穴有效分离,从而在电激励的作用下,能有效的调动黑磷薄膜的在中红外区的电致发光,得到简易、高效且硅基兼容性高的新型中红外发光二极管。
CPC Classification Number
H01L33/002 ; H01L33/005
IPC Classification Number
H01L33/00
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2022-09-20][CN]
INPADOC Patent Family Count
1
Extended Patent Family Count
1
Priority date
2020-05-14
Patent Agent
齐胜杰
Agency
北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙)
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/430526
DepartmentDepartment of Electrical and Electronic Engineering
Recommended Citation
GB/T 7714
陈晓龙,王琳,王太宏,等. 一种具有异质结的中红外发光二极管及其制备方法[P]. 2022-09-20.
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