| Title | 用于光刻工艺的定位方法及定位标识 |
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| First Inventor | 刘召军
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010895384.3
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| Application Date | 2020-08-31
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| Open (Notice) Number | CN111965961B
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| Date Available | 2023-03-10
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| Publication Years | 2023-03-10
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-03-10
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明实施例公开了一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识，所述方法包括：获取第一光罩制程形成的第一定位标识，第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；获取第二光罩制程形成的第二定位标识，第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，第三侧边和第一侧边平行，第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；根据第四侧边和第二侧边的相交角度和相交位置确定第三侧边和第一侧边之间的偏差。本发明通过比对第一定位标识和第二定位标识，利用两层定位标识的相交关系放大光刻图形在一个方向上的偏移量，解决了由于人眼极限和设备对准精度局限导致不能精准对半导体器件进行定位的技术问题，实现了智能提高光刻定位精度的技术效果。 |
| Other Abstract | 本发明实施例公开了一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识，所述方法包括：获取第一光罩制程形成的第一定位标识，第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；获取第二光罩制程形成的第二定位标识，第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，第三侧边和第一侧边平行，第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；根据第四侧边和第二侧边的相交角度和相交位置确定第三侧边和第一侧边之间的偏差。本发明通过比对第一定位标识和第二定位标识，利用两层定位标识的相交关系放大光刻图形在一个方向上的偏移量，解决了由于人眼极限和设备对准精度局限导致不能精准对半导体器件进行定位的技术问题，实现了智能提高光刻定位精度的技术效果。 |
| CPC Classification Number | G03F9/7076
; G03F9/708
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| IPC Classification Number | G03F9/00
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| INPADOC Legal Status | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2020-12-08][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-08-31
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/504497 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
刘召军,蒋府龙,刘亚莹. 用于光刻工艺的定位方法及定位标识[P]. 2023-03-10.
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