| Title | 具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法 |
| Author | |
| First Inventor | 蒋苓利
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010929206.8
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| Application Date | 2020-09-07
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| Open (Notice) Number | CN112054056B
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| Date Available | 2023-03-10
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| Publication Years | 2023-03-10
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-03-10
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明实施例公开了一种具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法。其中具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；p型栅极层包括第一区域和第二区域，第一区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及栅极，第二区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及阴极，第二区域背离衬底一侧还设置有与p型栅极层直接接触的阳极；阳极与源极电连接，阴极与栅极电连接。本发明实施例的技术方案，有效提高器件栅极静电放电防护能力，优化器件的电学可靠性。 |
| Other Abstract | 本发明实施例公开了一种具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法。其中具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管包括衬底；设置于衬底一侧依次层叠的应力缓冲层和外延层；设置于外延层背离衬底一侧的源极、漏极以及p型栅极层；p型栅极层包括第一区域和第二区域，第一区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及栅极，第二区域背离衬底一侧依次层叠设置有p型表面盖层以及阴极，第二区域背离衬底一侧还设置有与p型栅极层直接接触的阳极；阳极与源极电连接，阴极与栅极电连接。本发明实施例的技术方案，有效提高器件栅极静电放电防护能力，优化器件的电学可靠性。 |
| CPC Classification Number | H01L29/778
; H01L29/66431
; H01L29/2003
; H01L29/0603
; H01L29/0684
; H01L27/0251
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| IPC Classification Number | H01L29/778
; H01L21/335
; H01L29/20
; H01L29/06
; H01L27/02
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| INPADOC Legal Status | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2020-12-25][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-09-07
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/505094 |
| Department | SUSTech Institute of Microelectronics |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
蒋苓利,曾凡明,于洪宇. 具有栅极静电防护结构的高电子迁移率晶体管及制作方法[P]. 2023-03-10.
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