Title | 激光诱导石墨烯的制备方法、激光诱导石墨烯及应用 |
Author | |
First Inventor | 黄乾明
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN202210238136.0
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Application Date | 2022-03-11
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Open (Notice) Number | CN114436248B
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Date Available | 2023-04-14
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Publication Years | 2023-04-14
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Status of Patent | 授权
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Legal Date | 2023-04-14
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本发明公开了激光诱导石墨烯的制备方法、激光诱导石墨烯及应用,涉及石墨烯技术领域。激光诱导石墨烯的制备方法,以可高度水溶、可生物相容且可生物降解的壳聚糖盐酸盐为原料,通过激光诱导的方法制备激光诱导石墨烯,制备过程中不经过任何化学处理,工艺简便易行,适合于工业化应用。制备得到的激光诱导石墨烯可以进一步制备得到超级电容器和传感器等电子器件,在先进半导体器件制造和封装领域具有广阔的应用前景。 |
Other Abstract | 本发明公开了激光诱导石墨烯的制备方法、激光诱导石墨烯及应用,涉及石墨烯技术领域。激光诱导石墨烯的制备方法,以可高度水溶、可生物相容且可生物降解的壳聚糖盐酸盐为原料,通过激光诱导的方法制备激光诱导石墨烯,制备过程中不经过任何化学处理,工艺简便易行,适合于工业化应用。制备得到的激光诱导石墨烯可以进一步制备得到超级电容器和传感器等电子器件,在先进半导体器件制造和封装领域具有广阔的应用前景。 |
IPC Classification Number | C01B32/184
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INPADOC Legal Status | (ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION)[2022-05-24][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 1
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Extended Patent Family Count | 1
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Priority date | 2022-03-11
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Patent Agent | 刘桐亚
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Agency | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/521065 |
Department | Preparatory Office of SUSTech Institute of Microelectronics, SUSTech and HKUST 工学院_深港微电子学院 |
Recommended Citation GB/T 7714 |
黄乾明,叶怀宇,王少刚. 激光诱导石墨烯的制备方法、激光诱导石墨烯及应用[P]. 2023-04-14.
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