| Title | 一种高稳定性三维编织态柔性电磁屏蔽薄膜及其制备方法 |
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| First Inventor | 王敏
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202111429511.1
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| Application Date | 2021-11-29
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| Open (Notice) Number | CN114369360B
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| Date Available | 2023-07-25
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| Publication Years | 2023-07-25
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-07-25
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 一种高稳定性三维编织态网格柔性电磁屏蔽薄膜，是以PI（聚酰亚胺）为基体，呈三维分布的编织状的银纳米线网格结构嵌入PI基体中，与基体一起形成倒四棱锥阵列的3D结构的薄膜。本发明制备的三维编织态银纳米线网格电磁屏蔽薄膜具有优异的机械稳定性，其弯曲半径为1.8mm，弯曲次数超1300次，薄膜的电阻未出现显著变化，电阻变化小于1%；透明度优异，光透过率达到92%以上；此外，还具有优异的电磁屏蔽效能，达到30‑45dB，且经过1300次循环后，电磁屏蔽效能基本没有变化，具有优异的稳定性。 |
| Other Abstract | 一种高稳定性三维编织态网格柔性电磁屏蔽薄膜，是以PI（聚酰亚胺）为基体，呈三维分布的编织状的银纳米线网格结构嵌入PI基体中，与基体一起形成倒四棱锥阵列的3D结构的薄膜。本发明制备的三维编织态银纳米线网格电磁屏蔽薄膜具有优异的机械稳定性，其弯曲半径为1.8mm，弯曲次数超1300次，薄膜的电阻未出现显著变化，电阻变化小于1%；透明度优异，光透过率达到92%以上；此外，还具有优异的电磁屏蔽效能，达到30‑45dB，且经过1300次循环后，电磁屏蔽效能基本没有变化，具有优异的稳定性。 |
| CPC Classification Number | C08J5/18
; H05K9/0081
; C08J2379/08
; C08K7/06
; C08K2201/011
; Y02A30/00
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| IPC Classification Number | C08L79/08
; C08K7/06
; C08J5/18
; H05K9/00
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2023-07-25][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2021-11-29
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| Patent Agent | 李靖
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| Agency | 重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙)
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/560710 |
| Department | SUSTech Institute of Microelectronics 南方科技大学-香港科技大学深港微电子学院筹建办公室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
王敏,赵聪,潘笑盈,等. 一种高稳定性三维编织态柔性电磁屏蔽薄膜及其制备方法[P]. 2023-07-25.
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