| Title | 一种纳米环的制备方法 |
| Author | |
| First Inventor | 刘召军
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010317602.5
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| Application Date | 2020-04-21
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| Open (Notice) Number | CN111453693B
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| Date Available | 2023-06-23
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| Publication Years | 2023-06-23
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-06-23
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明实施例公开了一种纳米环的制备方法。该方法包括：在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底的多个纳米级环状凸起。本发明实施例实现了简单、低成本的制备氮化镓基纳米环。 |
| Other Abstract | 本发明实施例公开了一种纳米环的制备方法。该方法包括：在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底的多个纳米级环状凸起。本发明实施例实现了简单、低成本的制备氮化镓基纳米环。 |
| CPC Classification Number | B81B7/04
; B81C1/00031
; B81C1/00103
; Y02P70/50
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| IPC Classification Number | B81B7/04
; B81C1/00
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2023-06-23][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-04-21
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| Patent Agent | 孟金喆
; 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/560987 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
刘召军,蒋府龙,李四龙. 一种纳米环的制备方法[P]. 2023-06-23.
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