| Title | 纳米柱阵列及其制备方法 |
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| First Inventor | 段天利
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽镇学苑大道1088号南方科技大学 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010174753.X
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| Application Date | 2020-03-13
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| Open (Notice) Number | CN111453692B
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| Date Available | 2023-09-08
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| Publication Years | 2023-09-08
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-09-08
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明涉及一种纳米柱阵列及其制备方法。上述纳米柱阵列的制备方法包括如下步骤：采用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，以在抗蚀层上曝光出多个间隔排列的直径为50nm～100nm的图案；在衬底上形成金属层，且金属层遮蔽抗蚀层，金属层的厚度至少为20nm且小于抗蚀层的厚度的三分之一；去除抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属图案的金属层；从衬底形成有金属层的一侧，沿垂直方向对衬底进行离子刻蚀，以使衬底上未被金属图案覆盖的区域被刻蚀，形成多个间隔的柱体；去除衬底上的金属图案，得到纳米柱阵列，纳米柱阵列包括多个间隔排列的纳米柱。上述制备方法能够使纳米柱阵列中的纳米柱直径小于50nm，高宽比大于20。 |
| Other Abstract | 本发明涉及一种纳米柱阵列及其制备方法。上述纳米柱阵列的制备方法包括如下步骤：采用电子束抗蚀剂在衬底上形成抗蚀层；将抗蚀层进行曝光和显影，以在抗蚀层上曝光出多个间隔排列的直径为50nm～100nm的图案；在衬底上形成金属层，且金属层遮蔽抗蚀层，金属层的厚度至少为20nm且小于抗蚀层的厚度的三分之一；去除抗蚀层，得到具有多个间隔排列的金属图案的金属层；从衬底形成有金属层的一侧，沿垂直方向对衬底进行离子刻蚀，以使衬底上未被金属图案覆盖的区域被刻蚀，形成多个间隔的柱体；去除衬底上的金属图案，得到纳米柱阵列，纳米柱阵列包括多个间隔排列的纳米柱。上述制备方法能够使纳米柱阵列中的纳米柱直径小于50nm，高宽比大于20。 |
| CPC Classification Number | B81B7/04
; B81C1/00023
; B81C1/00103
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| IPC Classification Number | B81B7/04
; B81C1/00
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| INPADOC Legal Status | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2020-08-21][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-03-13
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| Patent Agent | 单骁越
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| Agency | 华进联合专利商标代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/560991 |
| Department | Public Testing and Analysis Center |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
段天利,张锐,王尧,等. 纳米柱阵列及其制备方法[P]. 2023-09-08.
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