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Title

离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法

Author
First Inventor
王钊
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
Address of First applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN202110670509.7
Application Date
2021-06-17
Open (Notice) Number
CN113420882B
Date Available
2023-08-22
Publication Years
2023-08-22
Status of Patent
授权
Legal Date
2023-08-22
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本申请提供一种离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法,该离子阱装置包括:绝缘基材,绝缘基材为凹面结构;至少两段弧形金属反射电极,弧形金属反射电极覆盖在绝缘基材的正面,正面为内凹表面;每段弧形金属反射电极之间电气绝缘;每段弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压。该装置在提高光收集效率的同时可以实现理想成像,从而提高离子‑光子纠缠态制备的成功率。
Other Abstract
本申请提供一种离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法,该离子阱装置包括:绝缘基材,绝缘基材为凹面结构;至少两段弧形金属反射电极,弧形金属反射电极覆盖在绝缘基材的正面,正面为内凹表面;每段弧形金属反射电极之间电气绝缘;每段弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压。该装置在提高光收集效率的同时可以实现理想成像,从而提高离子‑光子纠缠态制备的成功率。
CPC Classification Number
G06N10/00 ; G21K1/00 ; H01J49/424
IPC Classification Number
G06N10/20
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2023-08-22][CN]
INPADOC Patent Family Count
3
Extended Patent Family Count
3
Priority date
2021-06-17
Patent Agent
钟扬飞
Agency
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/561307
DepartmentInstitute for Quantum Science and Engineering
Recommended Citation
GB/T 7714
王钊,马庆麟,郭佳宇,等. 离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法[P]. 2023-08-22.
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