Title | 离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法 |
Author | |
First Inventor | 王钊
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN202110670509.7
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Application Date | 2021-06-17
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Open (Notice) Number | CN113420882B
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Date Available | 2023-08-22
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Publication Years | 2023-08-22
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Status of Patent | 授权
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Legal Date | 2023-08-22
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本申请提供一种离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法,该离子阱装置包括:绝缘基材,绝缘基材为凹面结构;至少两段弧形金属反射电极,弧形金属反射电极覆盖在绝缘基材的正面,正面为内凹表面;每段弧形金属反射电极之间电气绝缘;每段弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压。该装置在提高光收集效率的同时可以实现理想成像,从而提高离子‑光子纠缠态制备的成功率。 |
Other Abstract | 本申请提供一种离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法,该离子阱装置包括:绝缘基材,绝缘基材为凹面结构;至少两段弧形金属反射电极,弧形金属反射电极覆盖在绝缘基材的正面,正面为内凹表面;每段弧形金属反射电极之间电气绝缘;每段弧形金属反射电极用于接收频率相同、相位相同且幅度可调的射频电压。该装置在提高光收集效率的同时可以实现理想成像,从而提高离子‑光子纠缠态制备的成功率。 |
CPC Classification Number | G06N10/00
; G21K1/00
; H01J49/424
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IPC Classification Number | G06N10/20
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INPADOC Legal Status | (+PATENT GRANT)[2023-08-22][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 3
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Extended Patent Family Count | 3
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Priority date | 2021-06-17
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Patent Agent | 钟扬飞
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Agency | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/561307 |
Department | Institute for Quantum Science and Engineering |
Recommended Citation GB/T 7714 |
王钊,马庆麟,郭佳宇,等. 离子阱装置以及离子阱装置的鞍点移动方法[P]. 2023-08-22.
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