| Title | 锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法 |
| Author | |
| First Inventor | 林京洋
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区桃源街道学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202110790590.2
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| Application Date | 2021-07-13
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| Open (Notice) Number | CN113481485B
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| Date Available | 2023-09-05
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| Publication Years | 2023-09-05
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-09-05
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明涉及一种锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。上述锡氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤：将衬底置于原子层气相沉积反应室内，进行如下步骤：步骤A：先通入氧源0.005s～0.015s，再通入保护气体15s～30s，然后抽真空15s～30s；步骤B：先通入锡源0.65s～1s，再通入保护气体20s～30s，然后抽真空20s～30s；以步骤A和步骤B为一个周期，重复15次～200次，得到锡氧化物薄膜。上述锡氧化物薄膜的制备方法能够得到兼具适宜的功函数、导电性好和透过率高的锡氧化物薄膜，能够用于ITO电极和电子传输层之间，提高太阳能电池的光电转换效率。 |
| Other Abstract | 本发明涉及一种锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。上述锡氧化物薄膜的制备方法包括如下步骤：将衬底置于原子层气相沉积反应室内，进行如下步骤：步骤A：先通入氧源0.005s～0.015s，再通入保护气体15s～30s，然后抽真空15s～30s；步骤B：先通入锡源0.65s～1s，再通入保护气体20s～30s，然后抽真空20s～30s；以步骤A和步骤B为一个周期，重复15次～200次，得到锡氧化物薄膜。上述锡氧化物薄膜的制备方法能够得到兼具适宜的功函数、导电性好和透过率高的锡氧化物薄膜，能够用于ITO电极和电子传输层之间，提高太阳能电池的光电转换效率。 |
| CPC Classification Number | C23C16/407
; C23C16/45527
; H10K30/10
; H10K30/20
; H10K30/82
; H10K2102/102
; Y02E10/549
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| IPC Classification Number | H10K30/82
; H10K30/40
; H10K30/50
; H10K71/00
; H10K99/00
; C23C16/40
; C23C16/455
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| INPADOC Legal Status | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2021-10-26][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2021-07-13
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| Patent Agent | 李美
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| Agency | 华进联合专利商标代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/561606 |
| Department | Department of Physics 公共分析测试中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
林京洋,吴文政,何颜玲. 锡氧化物薄膜及其制备方法、太阳能电池及其制备方法[P]. 2023-09-05.
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