Title | 一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备 |
Author | |
First Inventor | 李携曦
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Original applicant | 南方科技大学
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First applicant | 南方科技大学
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Address of First applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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Current applicant | 南方科技大学
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Address of Current applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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First Current Applicant | 南方科技大学
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Address of First Current Applicant | 518055 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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Application Number | CN202010656202.7
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Application Date | 2020-07-09
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Open (Notice) Number | CN111668213B
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Date Available | 2023-06-30
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Publication Years | 2023-06-30
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Status of Patent | 授权
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Legal Date | 2023-06-30
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Subtype | 授权发明
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SUSTech Authorship | First
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Abstract | 本发明公开了一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备,其中,心率检测芯片包括:发光区域和光电检测区域,发光区域包括至少一个发光二极管,光电检测区域包括至少一个光电二极管;心率检测芯片包括:衬底;第一掺杂层,设置于衬底上的一侧;第一掺杂层包括图案化的发光二极管的第一掺杂部和光电二极管的第一掺杂部;有源层,设置于第一掺杂层远离衬底的一侧;有源层包括图案化的发光二极管的发光部和光电二极管的光电转换部;第二掺杂层,设置于有源层远离第一掺杂层的一侧;第二掺杂层包括图案化的发光二极管的第二掺杂部和光电二极管的第二掺杂部。本发明提供的技术方案,以解决现有心率检测产品的成本和功耗较大的问题。 |
Other Abstract | 本发明公开了一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备,其中,心率检测芯片包括:发光区域和光电检测区域,发光区域包括至少一个发光二极管,光电检测区域包括至少一个光电二极管;心率检测芯片包括:衬底;第一掺杂层,设置于衬底上的一侧;第一掺杂层包括图案化的发光二极管的第一掺杂部和光电二极管的第一掺杂部;有源层,设置于第一掺杂层远离衬底的一侧;有源层包括图案化的发光二极管的发光部和光电二极管的光电转换部;第二掺杂层,设置于有源层远离第一掺杂层的一侧;第二掺杂层包括图案化的发光二极管的第二掺杂部和光电二极管的第二掺杂部。本发明提供的技术方案,以解决现有心率检测产品的成本和功耗较大的问题。 |
CPC Classification Number | H01L27/0814
; A61B5/02444
; A61B5/0059
; A61B5/6802
; A61B2562/164
; Y02P70/50
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IPC Classification Number | H01L27/08
; A61B5/024
; A61B5/00
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INPADOC Legal Status | (+PATENT GRANT)[2023-06-30][CN]
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INPADOC Patent Family Count | 1
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Extended Patent Family Count | 1
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Priority date | 2020-07-09
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Patent Agent | 潘登
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Agency | 北京品源专利代理有限公司
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URL | [Source Record] |
Data Source | PatSnap
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Document Type | Patent |
Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/561750 |
Department | SUSTech Institute of Microelectronics |
Recommended Citation GB/T 7714 |
李携曦,陈亮. 一种心率检测芯片及其制备方法、可穿戴设备[P]. 2023-06-30.
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