| Title | 纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法 |
| Author | |
| First Inventor | 刘召军
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| Original applicant | 南方科技大学
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
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| Address of Current applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN202010354230.3
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| Application Date | 2020-04-29
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| Open (Notice) Number | CN111430513B
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| Date Available | 2023-06-27
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| Publication Years | 2023-06-27
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-06-27
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一薄膜，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底；对蒸镀有第一薄膜的LED晶片进行热退火处理，以使第一薄膜与p型GaN层形成欧姆接触；在第一薄膜的上表面沉积第二薄膜，第二薄膜的下表面与第一薄膜接触；在第二薄膜的上表面制备多个辅助纳米图形；通过辅助纳米图形对第二薄膜进行刻蚀以形成多个掩膜；通过掩膜对第一薄膜、p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。 |
| Other Abstract | 本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一薄膜，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底；对蒸镀有第一薄膜的LED晶片进行热退火处理，以使第一薄膜与p型GaN层形成欧姆接触；在第一薄膜的上表面沉积第二薄膜，第二薄膜的下表面与第一薄膜接触；在第二薄膜的上表面制备多个辅助纳米图形；通过辅助纳米图形对第二薄膜进行刻蚀以形成多个掩膜；通过掩膜对第一薄膜、p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。 |
| CPC Classification Number | H01L33/0075
; B81C1/00111
; H01L33/06
; Y02P70/50
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| IPC Classification Number | H01L33/00
; B81C1/00
; H01L33/06
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| INPADOC Legal Status | （+PATENT GRANT）[2023-06-27][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2020-04-29
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| Patent Agent | 潘登
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/562879 |
| Department | Department of Electrical and Electronic Engineering |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
刘召军,蒋府龙,李四龙. 纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法[P]. 2023-06-27.
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