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Title

纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法

Author
First Inventor
刘召军
Original applicant
南方科技大学
First applicant
南方科技大学
Address of First applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
Current applicant
南方科技大学
Address of Current applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
First Current Applicant
南方科技大学
Address of First Current Applicant
518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
Application Number
CN202010354234.1
Application Date
2020-04-29
Open (Notice) Number
CN111430514B
Date Available
2023-06-27
Publication Years
2023-06-27
Status of Patent
授权
Legal Date
2023-06-27
Subtype
授权发明
SUSTech Authorship
First
Abstract
本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括:在LED晶片的上表面蒸镀第一金属层和第二金属层,其中,LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底,其中p型GaN层的上表面作为LED晶片的上表面,p型GaN层的下表面与量子阱有源层的上表面接触,量子阱有源层的下表面与n型GaN层的上表面接触,n型GaN层的下表面和衬底的上表面接触;对蒸镀有第一金属层和第二金属层的LED晶片进行热退火处理以形成多个掩膜,掩膜与p型GaN层形成欧姆接触;通过掩膜对LED晶片的p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱,LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。
Other Abstract
本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括:在LED晶片的上表面蒸镀第一金属层和第二金属层,其中,LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底,其中p型GaN层的上表面作为LED晶片的上表面,p型GaN层的下表面与量子阱有源层的上表面接触,量子阱有源层的下表面与n型GaN层的上表面接触,n型GaN层的下表面和衬底的上表面接触;对蒸镀有第一金属层和第二金属层的LED晶片进行热退火处理以形成多个掩膜,掩膜与p型GaN层形成欧姆接触;通过掩膜对LED晶片的p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱,LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。
CPC Classification Number
H01L33/0075 ; B81C1/00111 ; H01L33/06 ; Y02P70/50
IPC Classification Number
H01L33/00 ; H01L33/06 ; B81C1/00
INPADOC Legal Status
(+PATENT GRANT)[2023-06-27][CN]
INPADOC Patent Family Count
1
Extended Patent Family Count
1
Priority date
2020-04-29
Patent Agent
潘登
Agency
北京品源专利代理有限公司
URL[Source Record]
Data Source
PatSnap
Document TypePatent
Identifierhttp://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/562893
DepartmentDepartment of Electrical and Electronic Engineering
Recommended Citation
GB/T 7714
刘召军,蒋府龙,李四龙. 纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法[P]. 2023-06-27.
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