| Title | 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
| Author | |
| First Inventor | 王亮
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| Original applicant | 南方科技大学
; 苏州晶湛半导体有限公司
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| First applicant | 南方科技大学
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| Address of First applicant | 518000 广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号
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| Current applicant | 南方科技大学
; 苏州晶湛半导体有限公司
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| Address of Current applicant | 518000广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| First Current Applicant | 南方科技大学
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| Address of First Current Applicant | 518000广东省深圳市南山区西丽学苑大道1088号 (广东,深圳,南山区)
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| Application Number | CN201910796365.2
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| Application Date | 2019-08-27
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| Open (Notice) Number | CN110417374B
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| Date Available | 2023-09-19
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| Publication Years | 2023-09-19
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| Status of Patent | 授权
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| Legal Date | 2023-09-19
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| Subtype | 授权发明
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| SUSTech Authorship | First
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| Abstract | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。 |
| Other Abstract | 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法。其中，方法包括：提供蓝宝石衬底，并在蓝宝石衬底上制作牺牲层；在牺牲层上形成第一电极；通过反应磁控溅射的方法在蓝宝石衬底、牺牲层和第一电极上沉积氮化铝层，其中，氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；在氮化铝层上形成第二电极；去除牺牲层，形成空腔。本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制备方法，实现了大带宽和低损耗的薄膜体声波谐振器。 |
| IPC Classification Number | H03H3/02
; H03H3/04
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| INPADOC Legal Status | （ENTRY INTO FORCE OF REQUEST FOR SUBSTANTIVE EXAMINATION）[2019-11-29][CN]
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| INPADOC Patent Family Count | 1
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| Extended Patent Family Count | 1
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| Priority date | 2019-08-27
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| Patent Agent | 孟金喆
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| Agency | 北京品源专利代理有限公司
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| URL | [Source Record] |
| Data Source | PatSnap
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| Document Type | Patent |
| Identifier | http://kc.sustech.edu.cn/handle/2SGJ60CL/563468 |
| Department | SUSTech Institute of Microelectronics |
| Recommended Citation GB/T 7714 |
王亮,程凯,于洪宇. 一种薄膜体声波谐振器及其制备方法[P]. 2023-09-19.
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